Los diodos Schottky combinados de SiC aumentan la confiabilidad de la fuente de alimentación...

Los dispositivos utilizan un diseño combinado de PIN Schottky (MPS) para combinar la solidez de una alta corriente de sobretensión con una baja caída de voltaje directo, carga capacitiva y corriente de fuga inversa para aumentar la eficiencia y la confiabilidad en los diseños de alimentación de conmutación.

Los diodos libres de halógenos y compatibles con RoHS han superado la prueba de polarización inversa de temperatura más alta (HTRB) de 2000 horas y la prueba de ciclos de temperatura de 2000 ciclos térmicos. Esto es el doble de las horas y ciclos de prueba de los requisitos de AEC-Q101.

Las aplicaciones típicas de los dispositivos incluirán rectificación de salida de frecuencia ultra alta de CA/CC PFC y CC/CC en convertidores FBPS y LLC para aplicaciones de exploración y generación de energía.

Los diodos de SiC varían de 4 A a 40 A en paquetes de montaje en superficie TO-22OAC 2L y TO-247AD 3L y D²PAK 2L (TO-263AB 2L). La estructura MPS reduce la caída de tensión directa en 0,3 V en comparación con las generaciones anteriores, mientras que la caída de tensión directa multiplicada por la carga capacitiva, una cifra clave de mérito (FOM) para la eficiencia energética, es un 17 % más baja.

La corriente de fuga inversa típica es un 30 % más baja a temperatura ambiente y un 70 % más baja a alta temperatura que la solución más cercana de la competencia. Esto reduce las pérdidas por conducción para garantizar una alta eficiencia del sistema durante cargas ligeras y en ralentí. A diferencia de los diodos ultrarrápidos, los dispositivos Gen 3 prácticamente no tienen cola de recuperación, lo que mejora aún más la eficiencia.

En comparación con los diodos de silicio con voltajes de ruptura comparables, los dispositivos de SiC ofrecen una conductividad térmica más alta, una corriente inversa más baja y tiempos de recuperación inversa más cortos. Los tiempos de recuperación inversa de los diodos son casi independientes de la temperatura, lo que permite el funcionamiento a temperaturas superiores a +175 °C sin los cambios en la eficiencia energética provocados por las pérdidas de conmutación.

Partes #

SI (APAGADO) (A)

IFSM (A)

FV en IF (V)

Control de calidad (nC)

Configuración

Paquete

VS-3C04ET07S2L-M3

4

29

1.5

12

Soltero

D²PAK 2L

VS-3C06ET07S2L-M3

6

42

1.5

17

Soltero

D²PAK 2L

VS-3C08ET07S2L-M3

8

54

1.5

22

Soltero

D²PAK 2L

VS-3C10ET07S2L-M3

10

60

1.46

29

Soltero

D²PAK 2L

VS-3C12ET07S2L-M3

12

83

1.5

34

Soltero

D²PAK 2L

VS-3C16ET07S2L-M3

dieciséis

104

1.5

44

Soltero

D²PAK 2L

VS-3C20ET07S2L-M3

20

110

1.5

53

Soltero

D²PAK 2L

VS-3C04ET07T-M3

4

29

1.5

12

Soltero

TO-220AC 2L

VS-3C06ET07T-M3

6

42

1.5

17

Soltero

TO-220AC 2L

VS-3C08ET07T-M3

8

54

1.5

22

Soltero

TO-220AC 2L

VS-3C10ET07T-M3

10

60

1.46

29

Soltero

TO-220AC 2L

VS-3C12ET07T-M3

12

83

1.5

34

Soltero

TO-220AC 2L

VS-3C16ET07T-M3

dieciséis

104

1.5

44

Soltero

TO-220AC 2L

VS-3C20ET07T-M3

20

110

1.5

53

Soltero

TO-220AC 2L

VS-3C16CP07L-M3

2x8

54

1.5

22

cátodo común

TO-247AD 3L

VS-3C20CP07L-M3

2x10

60

1.46

29

cátodo común

TO-247AD 3L

VS-3C40CP07L-M3

2x20

110

1.5

53

cátodo común

TO-247AD 3L

Las muestras y las cantidades de producción de los nuevos diodos SiC ya están disponibles, con plazos de entrega de ocho semanas.

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